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  4. 三星宣布量产512GB UFS闪存:读取速度达860MB/s

三星宣布量产512GB UFS闪存:读取速度达860MB/s

2017-12-5 21:46  |  作者:Origin   |  关键字:三星,UFS,512GB

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三星今天对外公布他们将量产全球首款512GB嵌入式通用闪存(eUFS)用于即将推出的旗舰手机和平板电脑,512GB eUFS的顺序读写速度分别达到了860MB/s和255MB/s,随机读取42000IOPS,写入40000IOPS。
三星今天宣布他们已经开始量产全球首款512GB嵌入式通用闪存(eUFS),新的64层V-NAND闪存将用于即将推出的旗舰手机和平板电脑,考虑到下个月就是CES 2018,三星有可能在下个月会展出搭载该款V-NAND闪存的相关设备。三星全新的512GB UFS闪存将8个64层512Gb V-NAND芯片和一个UFS控制芯片通过堆叠形式封装在一起,在体积上和以前的48层V-NAND 256GB芯片一样,但存储空间翻倍。为了最大限度发挥512GB eUFS的性能和效率,三星还应用了一套全新的技术,其先进的电路设计和新的电源管理技术还能将功耗降低,512GB eUFS控制器还加快了将逻辑块地址转换为物理地址的映射过程。接下来还是看看三星给出的数据吧,512GB eUFS的顺序读写速度分别达到了860MB/s和255MB/s,随机读取42000IOPS,写入40000IOPS,这样的表现确实比Galaxy S8上的UFS 2.1要好一些。最后三星还表示他们将扩大64层512Gb V-NAND芯片和256Gb-VNAND芯片的产能,并将其用于SSD产品上。至于什么时候有传输速度达到2400MB/s的UFS 3.0,只能很遗憾的告诉你最快也要明年初才能看到完整协议,应用到实际产品上起码还要等一年,所以整个2018年估计都会是UFS 2.1的天下,像三星这种UFS闪存供应商也只能默默将容量做大。
    
  1. 游客  2017-12-07 11:16

    游客:

    不用说了,连续读860M。随机读8.6M,实际生活中绝大多数都是随机读取场景。这些参数就是拿来忽悠傻子的
    2017-12-06 13:31
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  3. 总算有个明白人。。。

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    25#

  4. 
  5. Adonis研究生 2017-12-07 10:04

    游客:

    iphone x 256g 读取1200m/s 写入500m/s
    2017-12-06 09:03
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  7. 游客:

    已经隐藏3层评论[点击展开]

    游客:

    iphonex没有三星的闪存,别来这里秀智商了
    2017-12-06 17:23
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  9. iPhone用的是东芝的闪存,三丧的垃圾货还进入不了苹果的供应链。三丧狗恶意造谣,给三丧主子跪舔,真TM恶心人!

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    24#

  10. 
  11. 游客  2017-12-06 17:23

    游客:

    iphone x 256g 读取1200m/s 写入500m/s
    2017-12-06 09:03
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  13. 游客:

    iphone X是三星上上代的技术
    2017-12-06 09:31
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  15. 游客:

    酸果仁真是的。为什么三星现在512g的速度都比iphone x 256g的速度慢这么多?苹果nvme协议 是UFS比不了的。
    2017-12-06 09:56
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  17. 游客:

    是是是,然而闪存还是三星的
    2017-12-06 10:30
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  19. iphonex没有三星的闪存,别来这里秀智商了

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    23#

  20. 
  21. 游客  2017-12-06 16:32

    游客:

    和 eMMC 有多大区别,我感觉用起来都差不多
    2017-12-06 10:16
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  23. 此言差矣,绿为优化过的EMMC怕是吊打这货几十条街。

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    22#

  24. 
  25. 游客  2017-12-06 13:31

    不用说了,连续读860M。随机读8.6M,实际生活中绝大多数都是随机读取场景。这些参数就是拿来忽悠傻子的

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    21#

  26. 
  27. 游客  2017-12-06 11:58

    游客:

    说了半天,我都没搞明白:三星是不是打算把UFS用在SSD上面。
    2017-12-06 08:47
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  29. V-NAND 晶片(即垂直堆疊的3D NAND)

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    20#

  30. 
  31. 游客  2017-12-06 11:08

    游客:

    寿命是多少小时呢?
    2017-12-05 22:18
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  33. TLC没有几小时就挂了。虽然对外宣传是MLC。其实是TLC的。寿命短,用不了几分钟就掉速。
    珍爱生命远离三星
    明智一点用镁光吧。

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    19#

  34. 
  35. 游客  2017-12-06 10:45

    游客:

    iphone x 256g 读取1200m/s 写入500m/s
    2017-12-06 09:03
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  37. iPhone用的是NVMe协议的SSD吧~~~

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    18#

  38. 
  39. 游客  2017-12-06 10:33

    三星有nvme,也有ufs,并且三星的nvme主控也是业界顶尖的,三星出ufs是为了中端市场

    有些果狗实在是呵呵哒

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    17#

  40. 
  41. 游客  2017-12-06 10:30

    游客:

    iphone x 256g 读取1200m/s 写入500m/s
    2017-12-06 09:03
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  43. 游客:

    iphone X是三星上上代的技术
    2017-12-06 09:31
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  45. 游客:

    酸果仁真是的。为什么三星现在512g的速度都比iphone x 256g的速度慢这么多?苹果nvme协议 是UFS比不了的。
    2017-12-06 09:56
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  47. 是是是,然而闪存还是三星的

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    16#

  48. 
  49. 游客  2017-12-06 10:16

    和 eMMC 有多大区别,我感觉用起来都差不多

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    15#

  50. 
  51. 游客  2017-12-06 09:56

    游客:

    iphone x 256g 读取1200m/s 写入500m/s
    2017-12-06 09:03
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  53. 游客:

    iphone X是三星上上代的技术
    2017-12-06 09:31
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  55. 酸果仁真是的。为什么三星现在512g的速度都比iphone x 256g的速度慢这么多?苹果nvme协议 是UFS比不了的。

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    14#

  56. 
  57. 游客  2017-12-06 09:45

    游客:

    iphone x 256g 读取1200m/s 写入500m/s
    2017-12-06 09:03
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  59. 游客:

    iphone X是三星上上代的技术
    2017-12-06 09:31
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  61. 三星用UFS下代技术也到不了 iPhone x的速度。 iphone是nvme协议 容量比你小速度也比你快。

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    13#

  62. 
  63. QQ23870862研究生 2017-12-06 09:37

    可以拆装还差不多!

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    12#

  64. 
  65. 游客  2017-12-06 09:31

    游客:

    iphone x 256g 读取1200m/s 写入500m/s
    2017-12-06 09:03
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  67. iphone X是三星上上代的技术

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    11#

  68. 
  69. 游客  2017-12-06 09:03

    游客:

    iphone x 256g 读取1200m/s 写入500m/s
    2017-12-06 09:03
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  71. 内部RAID技术,单芯片是达不到那么高的速度的。

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    10#

  72. 
  73. 游客  2017-12-06 09:03

    iphone x 256g 读取1200m/s 写入500m/s

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    9#

  74. 
  75. 游客  2017-12-06 08:47

    说了半天,我都没搞明白:三星是不是打算把UFS用在SSD上面。

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    8#

  76. 
  77. 游客  2017-12-06 02:58

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    7#

  78. 
  79. 游客  2017-12-06 00:36

    小编容我推荐下家里的特产
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    6#

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